| 产品特性：低栅极电荷 | 品牌：振邦微 | 型号：AH510 |
| 封装：SOT-23-3 | 批号：22+ | FET类型：场效应管 |
| 漏源电压（Vdss）：100V | 漏极电流(Id)：5A | 漏源导通电阻(RDS On)：300m? |
| 栅源电压(Vgs)：10v | 栅极电荷(Qg)：±20 | 反向恢复时间：10 |
| 最大耗散功率：3mW | 配置类型：N沟道增强型 | 工作温度范围：-55 -175 |
| 安装类型：表面贴装式封装 | 应用领域：网络通信、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 物联网IoT |
——描述：输入135.3806+7573应用
AH510采用了***的沟槽技术设计提供优良的RDS(ON)低栅极电荷。100V/15A电流_ NMOSFET它可广泛应用于各种应用场合。
Ах510 использует передовые технологии канальных бороздок, которые обеспечивают высококачественный низкосеточный заряд RDS(ON). 100V_5A ток<150m Ω. N проход увелич модел усилител он широк использ в различн прикладн случа.
一般特征：
VDS = 100v, ID = 5A
RDS(ON)<300mΩ @ VGS=10V (Typ:150mΩ)
***密度电池设计
全面表征雪崩电压和电流
包装优良，散热好
应用领域：电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断供电
注:
1. 重复额定值:受结温限制的脉冲宽度。
2. 表面安装在FR4单板上，≤10秒。
3.脉冲测试:脉宽≤300μs，占空比≤2%。
4. 由设计***，不受生产限制
深圳市振邦微科技主营：大功率MOS场效应管，小功率MOS场效应管，N沟道MOS场效应管，高压MOS场效应管，低压MOS场效应管，电源芯片。100V_5A电流<150m?_ N通道增强模式MOSFET，如需咨询请联系振邦微科技。下面是我公司部分MOS场效应管应用和参考参数。
产品型号 电压参数 电流参数 阻值参数 封装参数
20N03 电压/30V 电流/20A 内阻/26mΩ 封装 TO-252/SOP-8
60N03 电压/30V 电流/60A 内阻/13mΩ 封装 TO-252/TO-220铁
80N03 电压/30V 电流/80A 内阻/10mΩ 封装 TO-252
85N03 电压/30V 电流/85A 内阻/ 8mΩ 封装 TO-252
150N03 电压/30V 电流/150A 内阻/4mΩ 封装 TO-220铁
30P03 电压/30V 电流/30A 内阻/30mΩ 封装 TO-252
20N04 电压/40V 电流/20A 内阻/35mΩ 封装 TO-252
60N04 电压/40V 电流/60A 内阻/ 5mΩ 封装 TO-252
20N06 电压/60V 电流/20A 内阻/50mΩ 封装 TO-252
50N06 电压/60V 电流/50A 内阻/20mΩ 封装 TO-252/TO-220F/SOP-8
75N75 电压/75V 电流/75A 内阻/9 mΩ 封装 TO-220铁
